• R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen
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R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen

R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen

Produktdetails:

Herkunftsort: CHINA
Markenname: BonTek
Zertifizierung: ISO:9001
Modellnummer: Saphir (Al2O3)

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5 Stücke
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Kassette, Glas, Filmpaket
Lieferzeit: 1-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stücke/Monat
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: Sapphire Wafer Wachstum: Kyropoulos-Methode
Schmelzpunkt: 2040 Grad C Wärmeleitfähigkeit: 27,21 mit (m x K) bei 300 K
Thermische Expansion: 5,6 x 10 -6 /K (parallele C-Achse) u. 5,0 (Senkrechtc-achse) x 10 -6 /K Härte: Knoop 2000 kg/mm 2 mit Zahnwalze 2000g
Spezifische Wärmekapazität: 419 J (Kilogramm x K) Dielektrizitätskonstante: 11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz
Hervorheben:

C-Fläche 0001 Sapphire Wafer

,

Einzelner Kristallsaphir Kyropoulos

,

R-Fläche Sapphire Wafer 1102

Produkt-Beschreibung

R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen

Die Wachstumsmethode bezieht sich den auf Prozess, durch den der Barren des einzelnen Kristallsaphirs produziert wird. Für die meisten Saphiroblaten ist dieses die Kyropoulos-Methode (abgekürzt zu KY oder zu Kr). Die Kyropoulos-Methode ist eine Fortsetzung der Czochralski-Methode (CZ) die in der Fertigung von Siliziumscheiben angewendet wird. Die Kr-Methode lässt die Produktion von sehr großen Barren einzelnem Kristallsaphir zu, die zu den Oblaten dann verarbeitet werden können.

Typische Schnitte des Saphirs sind R-Fläche (1102), C-Fläche (0001), Ein-Fläche (1120), M-Fläche (1010) und N-Fläche (1123). Orientierung beeinflußt die physikalischen Eigenschaften der Saphiroblaten – und insbesondere, wie sie und Gittermatch mit anderen Materialien integriert.

R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen 0R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen 1R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen 2

OPTISCHE EIGENSCHAFTEN von SAPPHIRE Al 2O3

Sendebereich

0,17 bis 5,5 Mikrometer

Brechungskoeffizient

1,75449 (O) 1,74663 (e) bei 1,06 Mikrometern

Reflexionsdämpfung

bei 1,06 Mikrometern (2 Oberflächen) für ORay - 11,7%; für ERay - 14,2%

Indexieren Sie von der Absorption

0,3 x 10-3 cm-1 bei 2,4 Mikrometern

dN/dT

13,7 x 10-6 bei 5,4 Mikrometern

dn/dm = 0

1,5 Mikrometer

PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN von SAPPHIRE Al 2O3

Dichte

3,97 g/cm3

Schmelzpunkt

2040 Grad C

Wärmeleitfähigkeit

27,21 mit (m x K) bei 300 K

Thermische Expansion

5,6 x 10 -6 /K (parallele C-Achse) u. 5,0 (Senkrechtc-achse) x 10 -6 /K

Härte

Knoop 2000 kg/mm 2 mit Zahnwalze 2000g

Spezifische Wärmekapazität

419 J (Kilogramm x K)

Dielektrizitätskonstante

11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz

Elastizitätsmodul (e)

335 GPa

Schubmodul (g)

148,1 GPa

Massenmodul (K)

240 GPa

Elastische Koeffizienten

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Offensichtliche Streckgrenze

MPa 275 (40.000 P/in)

Poisson-Verhältnis

0,25

Orientierung

R-Fläche, C-Fläche, Ein-Fläche, M-Fläche oder eine spezifizierte Orientierung

Orientierungs-Toleranz

± 0.3°

Durchmesser

2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll oder andere

Durchmesser-Toleranz

0.1mm für 2 Zoll, 0.2mm für 3 Zoll, 0.3mm für 4 Zoll, 0.5mm für 6 Zoll

Stärke

0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm oder andere;

Dickentoleranz

25μm

Flache hauptsächlichlänge

16.0±1.0mm für 2 Zoll, 22.0±1.0mm für 3 Zoll, 30.0±1.5mm für 4 Zoll, 47.5/50.0±2.0mm für 6 Zoll

Flache hauptsächlichorientierung

Ein-Fläche (1 1-2 0) ± 0.2°; C-Fläche (0 0-0 1) ± 0.2°, hervorstehende C-Achse 45 +/- 2°

TTV

≤10µm für 2 Zoll, ≤15µm für 3 Zoll, ≤20µm für 4 Zoll, ≤25µm für 6 Zoll

BOGEN

≤10µm für 2 Zoll, ≤15µm für 3 Zoll, ≤20µm für 4 Zoll, ≤25µm für 6 Zoll

Front Surface

Epi-Polier (Ra< 0="">

Hintere Oberfläche

Feiner Boden (Ra=0.6μm~1.4μm) oder Epi-Polier

Verpacken

Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100

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Wareneingangsprüfung

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1. Das Produkt ist zerbrechlich. Wir haben es ausreichend verpackt und es zerbrechlich beschrifteten. Wir liefern durch ausgezeichnete inländische und internationale Speditionsgesellschaften, um Transportqualität sicherzustellen.

2. Nachdem Sie die Waren empfangen haben, behandeln Sie bitte sorgfältig und zu überprüfen ob der Umkarton in gutem Zustand ist. Öffnen Sie sorgfältig den Umkarton und überprüfen Sie, ob die verpackenden Kästen ausgerichtet sind. Machen Sie ein Foto, bevor Sie sie herausnehmen.

3. Öffnen Sie bitte die Vakuumverpackung in einem Reinraum, wenn die Produkte angewendet werden sollen.

4. Wenn den Produkten beschädigt während des Kuriers gefunden werden, machen Sie bitte ein Foto oder notieren Sie ein Video sofort. Nehmen Sie die schädigenden Produkte NICHT aus dem Verpackenkasten heraus! Treten Sie mit uns sofort in Verbindung und wir lösen das Problem gut.

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Ich bin daran interessiert R-Flächenc$c-fläche 1102 0001 Sapphire Wafer For IR und UVwellenlängen-Anwendungen Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
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