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Fläche eine 2 Zoll-C polierte Sapphire Wafers Crystal Substrates
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | BonTek |
| Zertifizierung: | ISO:9001 |
| Modellnummer: | Saphir (Al2O3) |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 Stück |
|---|---|
| Preis: | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen: | Kassette, Glas, Filmpaket |
| Lieferzeit: | 1-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 Stücke/Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Saphir-Kristall-Wafer | Schnittart: | C-Achse [0001], R-Achse [1-102], Ein-Achse [11-20], M-Achse [10-10] |
|---|---|---|---|
| Übertragungsreichweite: | 0,17 bis 5,5 Mikrometer | Brechungsindex: | 1,75449 (O) 1,74663 (e) bei 1,06 Mikrometern |
| TTV: | <10um | Verneigung: | <15um |
| Kette: | <15um | Dielektrizitätskonstante: | 11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz |
| Hervorheben: | Polierte Sapphire Crystal Wafer,C-Fläche polierte Sapphire Wafers,2 Zoll Sapphire Substrates Wafers |
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Produkt-Beschreibung
Fläche 2 Zoll-Sapphire Crystals C polierte Sapphire Wafers Sapphire Substrates
Spezifikation:
Einzelner Kristall Al2O3 99,999%
Orientierung: R-Achse 0.5°
Durchmesser: 50.8±0.1mm
Stärke: 430±15um oder 330±15um
Primärebene: 16±1mm
Von der Orientierungsebene: Weg von r- bis c-Achse 45°±0.1° C-Fläche (0001)
Frontside-Oberflächenrauigkeit: Ra<0.2nm
Rückseiten-Oberflächenrauigkeit: 0.8~1.2um (oder doppelte Seite poliert, Seite Ra<0.2nm)
TTV: <10um-BOGEN: - VERZERRUNG 10~0um: <10um
Laser Mark Series No. durch Bedarf
Paket: Vakuumversiegelte Behälter mit Stickstoff füllen in einer Umwelt der Klasse 100 nach
Sauberkeit: Freie sichtbare Verschmutzung
1. Saphir hat eine hohe optische Beförderung, also ist er als dielektrisches Material des Mikroelektronischen Rohrs, Ultraschallleitungselement, Wellenleiterlaser-Hohlraum und andere optische Elemente, als Fenstermaterialien für Infrarotmilitärgeräte, Raumfahrzeug, Intensitätslaser und optische Nachrichtenübertragungen weitverbreitet.
2. Saphir hat hohe Starrheit, hochfeste, hohe Betriebstemperatur, Abnutzungswiderstand, Korrosionsbeständigkeitseigenschaften, so Saphirsubstrat ist häufig benutzt in der rauen Umwelt, wie Kesselwassermessgerät (Hochtemperaturwiderstand), WarenStrichkodescanner, Lager und andere Präzisionsfertigung (Verschleißfestigkeit), die Kohle, Gas, wohle Entdeckungs-Sensoren und die Detektorfenster (rostfest).
3. Saphir hat die Eigenschaften der elektrischen Isolierung, der Transparenz, der guten Wärmeleitfähigkeit und der hohen Starrheit, also kann er als das Substratmaterial von integrierten Schaltungen, wie LED und Mikroschaltungen benutzt werden, Ultra-hochgeschwindigkeitsintegrierte schaltung.
| OPTISCHE EIGENSCHAFTEN von SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Sendebereich |
0,17 bis 5,5 Mikrometer |
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Brechungskoeffizient |
1,75449 (O) 1,74663 (e) bei 1,06 Mikrometern |
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Reflexionsdämpfung |
bei 1,06 Mikrometern (2 Oberflächen) für ORay - 11,7%; für ERay - 14,2% |
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Indexieren Sie von der Absorption |
0,3 x 10-3 cm-1 bei 2,4 Mikrometern |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 bei 5,4 Mikrometern |
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dn/dm = 0 |
1,5 Mikrometer |
| PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN von SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Dichte |
3,97 g/cm3 |
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Schmelzpunkt |
2040 Grad C |
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Wärmeleitfähigkeit |
27,21 mit (m x K) bei 300 K |
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Thermische Expansion |
5,6 x 10 -6 /K (parallele C-Achse) u. 5,0 (Senkrechtc-achse) x 10 -6 /K |
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Härte |
Knoop 2000 kg/mm 2 mit Zahnwalze 2000g |
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Spezifische Wärmekapazität |
419 J (Kilogramm x K) |
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Dielektrizitätskonstante |
11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz |
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Elastizitätsmodul (e) |
335 GPa |
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Schubmodul (g) |
148,1 GPa |
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Massenmodul (K) |
240 GPa |
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Elastische Koeffizienten |
C11=496C12=164C13=115 |
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Offensichtliche Streckgrenze |
MPa 275 (40.000 P/in) |
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Poisson-Verhältnis |
0,25 |
Wareneingangsprüfung