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Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor-Verkratzen beständig
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | BonTek |
| Zertifizierung: | ISO:9001 |
| Modellnummer: | Saphir (Al2O3) |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5 Stücke |
|---|---|
| Preis: | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen: | Kassette, Glas, Filmpaket |
| Lieferzeit: | 1-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 Stücke/Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Sapphire Windows | Wachstum: | Kyropoulos-Methode |
|---|---|---|---|
| Schmelzpunkt: | °C 2040 | Wärmeleitfähigkeit: | 27,21 mit (m x K) bei 300 K |
| Thermische Expansion: | 5,6 x 10 -6 /K (parallele C-Achse) u. 5,0 (Senkrechtc-achse) x 10 -6 /K | Härte: | Knoop 2000 kg/mm 2 mit Zahnwalze 2000g |
| Spezifische Wärmekapazität: | 419 J (Kilogramm x K) | Dielektrizitätskonstante: | 11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz |
| Hervorheben: | Halbleiter-piezoelektrische Oblate,Sapphire Windows Piezoelectric Wafer,Verkratzen von beständiger Sapphire Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Halbleiter-Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric-Oblate
Saphir ist ein Material einer einzigartigen Kombination der körperlichen, chemischen und optischen Eigenschaften, die es beständig gegen Abnutzung der hohen Temperatur, des Wärmestoßes, des Wassers und des Sandes machen, und des Verkratzens. Es ist ein überlegenes Fenstermaterial für viele IR-Anwendungen von 3µm bis 5µm. C-Flächensaphirsubstrate sind weitverbreitet, III-V und II-VI Mittel wie GaN für blaue LED und Laserdioden zu wachsen, während R-Flächensaphirsubstrate für die hetero-Epitaxial- Absetzung des Silikons für Mikroelektronische IC-Anwendungen benutzt werden.
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Einzelteil |
3 Zoll C-Fläche (0001) 500μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, hoher Reinheitsgrad, monokristallines Al2O3 |
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Grad |
Haupt, Epi-bereit |
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Oberflächenorientierung |
C-Fläche (0001) |
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C-Flächenauswinkel in Richtung zu M-Achse 0,2 +/- 0.1° |
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Durchmesser |
76,2 Millimeter +/- 0,1 Millimeter |
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Stärke |
μm 500 +/- μm 25 |
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Flache hauptsächlichorientierung |
Ein-Fläche (11-20) +/- 0.2° |
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Flache hauptsächlichlänge |
22,0 Millimeter +/- 1,0 Millimeter |
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Simplex poliert |
Front Surface |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Hintere Oberfläche |
Feiner Boden, Ra = 0,8 μm zu μm 1,2 |
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Doppeltes Seiten poliert |
Front Surface |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Hintere Oberfläche |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 15=""> |
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BOGEN |
< 15=""> |
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VERZERRUNG |
< 15=""> |
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Säubern/verpackend |
Säubernder und vakuumverpackender Klasse 100 Cleanroom, |
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25 Stücke in einer verpackenden oder Einzelstückverpacken Kassette. |
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Einzelteil |
4 Zoll C-Fläche (0001) 650μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, hoher Reinheitsgrad, monokristallines Al2O3 |
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Grad |
Haupt, Epi-bereit |
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Oberflächenorientierung |
C-Fläche (0001) |
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C-Flächenauswinkel in Richtung zu M-Achse 0,2 +/- 0.1° |
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Durchmesser |
100,0 Millimeter +/- 0,1 Millimeter |
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Stärke |
μm 650 +/- μm 25 |
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Flache hauptsächlichorientierung |
Ein-Fläche (11-20) +/- 0.2° |
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Flache hauptsächlichlänge |
30,0 Millimeter +/- 1,0 Millimeter |
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Simplex poliert |
Front Surface |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Hintere Oberfläche |
Feiner Boden, Ra = 0,8 μm zu μm 1,2 |
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Doppeltes Seiten poliert |
Front Surface |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Hintere Oberfläche |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 20=""> |
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BOGEN |
< 20=""> |
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VERZERRUNG |
< 20=""> |
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Säubern/verpackend |
Säubernder und vakuumverpackender Klasse 100 Cleanroom, |
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25 Stücke in einer verpackenden oder Einzelstückverpacken Kassette. |
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Einzelteil |
6 Zoll C-Fläche (0001) 1300μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, hoher Reinheitsgrad, monokristallines Al2O3 |
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Grad |
Haupt, Epi-bereit |
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Oberflächenorientierung |
C-Fläche (0001) |
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C-Flächenauswinkel in Richtung zu M-Achse 0,2 +/- 0.1° |
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Durchmesser |
150,0 Millimeter +/- 0,2 Millimeter |
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Stärke |
μm 1300 +/- μm 25 |
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Flache hauptsächlichorientierung |
Ein-Fläche (11-20) +/- 0.2° |
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Flache hauptsächlichlänge |
47,0 Millimeter +/- 1,0 Millimeter |
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Simplex poliert |
Front Surface |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Hintere Oberfläche |
Feiner Boden, Ra = 0,8 μm zu μm 1,2 |
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Doppeltes Seiten poliert |
Front Surface |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Hintere Oberfläche |
Epi-Polier, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 25=""> |
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BOGEN |
< 25=""> |
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VERZERRUNG |
< 25=""> |
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Säubern/verpackend |
Säubernder und vakuumverpackender Klasse 100 Cleanroom, |
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25 Stücke in einer verpackenden oder Einzelstückverpacken Kassette. |
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Wareneingangsprüfung