• Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C
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Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C

Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: BonTek
Zertifizierung: ISO:9001
Modellnummer: Saphir (Al2O3)

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5 Stücke
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Kassette, Glas, Filmpaket
Lieferzeit: 1-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stücke/Monat
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Detailinformationen

Material: Saphir (Al2O3) Art: Einzelner Crystal Al 2O3
Farbe: Weiß Purity: 99.999%
Oberfläche: Doppelte Seitenpolitur, Simplexpolitur Eigenschaft: Hochfeste, hohe Härte, hohe Verschleißfestigkeit
Anwendung: Semicondutor-Oblate, geführter Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik Industrie: Geführtes, optisches Glas, eli-bereite Oblate
Hervorheben:

Halbleiter Sapphire Substrate

,

C-Fläche Sapphire Substrate

,

Hohe Sauberkeit Sapphire Wafer

Produkt-Beschreibung

Flache hohe Glattheit und hohe Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C

 

Saphiroblaten sind für die Forschung und Entwicklung von neuen Halbleiterbauelementen hauptsächlich passend und bieten hohe Spezifikationen wie hohe Glattheit und hohe Sauberkeit zusätzlich zu den handelsüblichen Qualitäten des traditionellen Saphirsubstrates an.

 

Hauptmerkmale

• Hochfeste, hohe Härte, hohe Verschleißfestigkeit (Härte an zweiter Stelle nur zum Diamanten)

• Hohe Beförderung (helle Beförderung im ultravioletten zur Infrarotstrecke)

• Hohe Korrosionsbeständigkeit (hohe Toleranz zur Säure, zum Alkali, zum Plasma)

• Hohe Isolierung (Isolator, nicht einfach, Strom zu leiten)

• Hohe Hitzebeständigkeit (Schmelzpunkt 2050℃) Wärmeleitfähigkeit (40mal des Glases)

 

Spezifikation

• Standardgröße (φ2 „, 3", 4", 6", 8", 12 "), andere Sondergröße, Eckform und andere Formen können entsprechen.

• Kann einer Vielzahl der flachen Orientierung entsprechen: Cfläche, Rfläche, Mfläche, Einfläche

• Doppelseitiges Reiben, einseitiges Reiben

• Kundengerechtes Lochen

 

Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C 0Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C 1Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C 2

 

Crystal Materials 99.996% von Al2O3, hoher Reinheitsgrad, monokristallin, Al2O3  
Kristallqualität Einbeziehungen, Blockkennzeichen, Zwillinge, Farbe, Mikroblasen und Verbreitungsmitten sind nicht vorhanden  
Durchmesser 2inch 3inch 4inch 5inch | 7inch  
50.8± 0.1mm 76.2±0.2mm 100±0.3mm In Übereinstimmung mit den Bestimmungen der Standardproduktion  
 
Stärke 430±15µm 550±15µm 650±20µm Kann vom Kunden besonders angefertigt werden  
Orientierung C- Fläche (0001) zur M-Fläche (1-100) oder zur Ein-Fläche (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°, R-Fläche (1-1 0 2), Ein-Fläche (1 1-2 0), M-Fläche (1-1 0 0), irgendeine Orientierung, irgendein Winkel  
Flache hauptsächlichlänge 16.0±1mm 22.0±1.0mm 32.5±1.5 Millimeter In Übereinstimmung mit den Bestimmungen der Standardproduktion  
Flache hauptsächlichorientierung Ein-Fläche (1 1-2 0) ± 0.2°  
TTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
LTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
TIR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
BOGEN ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Verzerrung ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Front Surface Epi-Polier (Ra< 0="">  
Hintere Oberfläche Feiner Boden (Ra=0.5 zu µm 1,2), Epi-Polier (Ra< 0="">  
Anmerkung Kann hochwertige Saphirsubstratoblate entsprechend der spezifischen Anforderung der Kunden zur Verfügung stellen  

 

PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN

Dichte 3,97 g/cm3
Schmelzpunkt 2040 Grad C
Wärmeleitfähigkeit 27,21 mit (m x K) bei 300 K
Thermische Expansion 5,6 x 10 -6 /K (parallele C-Achse) u. 5,0 (Senkrechtc-achse) x 10 -6 /K
Härte Knoop 2000 kg/mm 2 mit Zahnwalze 2000g
Spezifische Wärmekapazität 419 J (Kilogramm x K)
Dielektrizitätskonstante 11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz
Elastizitätsmodul (e) 335 GPa
Schubmodul (g) 148,1 GPa
Massenmodul (K) 240 GPa
Elastische Koeffizienten C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148
Offensichtliche Streckgrenze MPa 275 (40.000 P/in)
Poisson-Verhältnis 0,25

 

Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C 3

 

Wareneingangsprüfung

Flache hohe Glattheit und Sauberkeit Sapphire Substrate For Semiconductor C 4

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