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4 Wafer des Zoll-LNOI, der kompakte photonische Integration erzielt
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | BonTek |
| Zertifizierung: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Modellnummer: | LNOI-Oblate |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 STÜCK |
|---|---|
| Preis: | $2000/pc |
| Verpackung Informationen: | Kassetten-Glaspaket, vakuumversiegelt |
| Lieferzeit: | 1-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50000 PC/Monat |
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Detailinformationen |
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| Produkt: | LiNbO3 auf Isolator | Durchmesser: | 4 Zoll, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Oberschicht: | Lithiumniobat | Kronenbreite: | 300~600nm |
| Sonnenbestrahlung: | Thermisches Oxid SiO2 | Sonnenbestrahlungs-Stärke: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrat: | Silikon | Anwendung: | Optische Wellenleiter und Microwaveguides |
| Hervorheben: | Piezoelektrische Oblate LNOI,4 Wafer des Zoll-LNOI,300nm LiNbO3 auf Isolator |
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Produkt-Beschreibung
Erzielen der kompakten photonischen Integration mit 4 Zoll LNOI-Wafers
LNOI steht für Lithium-Niobat auf Isolator, der eine fachkundige Substrattechnologie ist, die auf dem Gebiet der integrierten Photonik eingesetzt wird. LNOI-Substrate werden fabriziert, indem man eine Dünnschicht des Kristalles des Lithium-Niobates (LiNbO3) auf ein isolierendes Substrat, gewöhnlich Siliciumdioxid (SiO2) oder Silikonnitrid (Si3N4) überträgt. Diese Technologie bietet einzigartige Vorteile für die Entwicklung von kompakten und leistungsstarken photonischen Geräten an.
Die Herstellung von LNOI-Substraten bezieht mit ein, eine Dünnschicht von LiNbO3 auf eine Isolierschicht unter Verwendung der Techniken wie Oblatenabbinden oder -ausschnitt zu verpfänden. Dieses ergibt eine Struktur, in der LiNbO3 auf einem nicht leitfähigen Substrat verschoben wird, elektrische Isolierung bereitstellt und die optischen Wellenleiterverluste verringert.
Anwendungen von LNOI:
- Integrierte Photonik
- Optische Nachrichtenübertragung
- Abfragung und Metrologie
- Quantums-Optik
| LNOI-Oblate | |||
| Struktur | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5) Millimeters2/95% |
| Durchmesser | ± Φ100 0,2 Millimeter | Rand Exclution | 5 Millimeter |
| Stärke | 500 ± 20 μm | Bogen | Innerhalb μm 50 |
| Flache hauptsächlichlänge | ± 47,5 2 Millimeter ± 57,5 2 Millimeter |
Rand-Zutat | ± 2 0,5 Millimeter |
| Oblaten-Abschrägung | R Art- | Umweltsmäßig | Rohs 2,0 |
| Spitzen-LN-Schicht | |||
| Durchschnittliche Stärke | 400/600±10 Nanometer | Einheitlichkeit | < 40nm=""> |
| Brechungsindex | keine > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientierung | X-Achse ± 0.3° |
| Grad | Optisch | Oberflächenra | < 0=""> |
| Defekte | >1mm keine; ≦1Millimeterinnerhalb300Summe |
Abblätterung | Kein |
| Kratzer | >1cm keine; ≦1cminnerhalb3 |
Primärebene | Senkrechtes zu +Y-Achse ± 1° |
| Isolierung SiO2 Schicht | |||
| Durchschnittliche Stärke | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Einheitlichkeit | <> |
| Toll. Methode | Thermisches Oxid | Brechungsindex | 1.45-1.47 @ 633 Nanometer |
| Substrat | |||
| Material | Si | Orientierung | <100> ± 1° |
| Flache hauptsächlichorientierung | <110> ± 1° | Widerstandskraft | > kΩ 10·cm |
| Rückseiten-Verschmutzung | Kein sichtbarer Fleck | Rückseite | Ätzung |
