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Entriegeln von Lithium Tantalate auf Isolator (LTOI) für moderne photonische Anwendungen
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | BonTek |
| Zertifizierung: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Modellnummer: | LNOI-Oblate |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 STÜCK |
|---|---|
| Preis: | $2000/pc |
| Verpackung Informationen: | Kassetten-Glaspaket, vakuumversiegelt |
| Lieferzeit: | 1-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50000 PC/Monat |
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Detailinformationen |
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| Produkt: | LiTaO3 auf Isolator | Durchmesser: | 4 Zoll, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Oberschicht: | Lithiumtantalat | Kronenbreite: | 300~600nm |
| Sonnenbestrahlung: | Thermisches Oxid SiO2 | Sonnenbestrahlungs-Stärke: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrat: | Siliziumscheibe | Anwendung: | Optische Wellenleiter und Microwaveguides |
| Hervorheben: | Photonischer Lithium Tantalate auf Isolator,Piezoelektrische Oblate LTOI |
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Produkt-Beschreibung
Freisetzen des Potenzials von Lithium Tantalate auf Isolator (LTOI) für moderne photonische Anwendungen
LTOI steht für Lithium Tantalate auf Isolator, ist eine fachkundige Substrattechnologie, die auf dem Gebiet der integrierten Photonik eingesetzt wird. Es bezieht die Übertragung einer Dünnschicht des Kristalles Lithium Tantalate (LiTaO3) auf ein isolierendes Substrat, gewöhnlich Siliciumdioxid (SiO2) oder Silikonnitrid mit ein (Si3N4). LTOI-Substrate bieten einzigartige Vorteile für die Entwicklung von kompakten und leistungsstarken photonischen Geräten an.
LTOI-Substrate werden durch einen Verpfändungsprozeß hergestellt, in dem eine Dünnschicht des Lithium Tantalatekristalles auf ein isolierendes Substrat übertragen wird. Dieser Prozess kann durch verschiedene Techniken, einschließlich Oblatenabbinden oder Ionausschnitt erzielt werden und eine starke Bindung zwischen den Schichten sicherstellen.
LTOI-Substrate bieten einzigartige Vorteile für moderne photonische Anwendungen an. Ihre Nutzung in den Galvano-Optikmodulatoren, in den Wellenleitern, in den nichtlinearen optischen Geräten, in den Sensoren, in der Quantenphotonik und in integrierten photonischen Stromkreisen zeigt das breite Spektrum von Anwendungen und das Potenzial für den Druck der Grenzen der integrierten Photoniktechnologie.
| LTOI-Oblate | |||
| Struktur | LiTaO3/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5) Millimeters2/95% |
| Durchmesser | ± Φ100 0,2 Millimeter | Rand Exclution | 5 Millimeter |
| Stärke | 500 ± 20 μm | Bogen | Innerhalb μm 50 |
| Flache hauptsächlichlänge | ± 47,5 2 Millimeter ± 57,5 2 Millimeter |
Rand-Zutat | ± 2 0,5 Millimeter |
| Oblaten-Abschrägung | R Art- | Umweltsmäßig | Rohs 2,0 |
| Spitzen-LT Layer | |||
| Durchschnittliche Stärke | 400/600±10 Nanometer | Einheitlichkeit | < 40nm=""> |
| Brechungsindex | keine > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientierung | Z-Achse ± 0.3° |
| Grad | Optisch | Oberflächenra | < 0=""> |
| Defekte | >1mm keine; ≦1Millimeterinnerhalb300Summe |
Abblätterung | Kein |
| Kratzer | >1cm keine; ≦1cminnerhalb3 |
Primärebene | Senkrechtes zu +Y-Achse ± 1° |
| Isolierung SiO2 Schicht | |||
| Durchschnittliche Stärke | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Einheitlichkeit | <> |
| Toll. Methode | Thermisches Oxid | Brechungsindex | 1.45-1.47 @ 633 Nanometer |
| Substrat | |||
| Material | Si | Orientierung | <100> ± 1° |
| Flache hauptsächlichorientierung | <110> ± 1° | Widerstandskraft | > kΩ 10·cm |
| Rückseiten-Verschmutzung | Kein sichtbarer Fleck | Rückseite | Ätzung |
