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Stand der Technik Piezoelektrische Waferherstellung für MEMS- und SAW-Geräte
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | CQTGROUP |
| Zertifizierung: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Modellnummer: | Dienstleistungen für Splittergießereien |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 PCS |
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| Preis: | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen: | Kassetten-Glaspaket, vakuumversiegelt |
| Lieferzeit: | 1-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 Stück/Monat |
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Detailinformationen |
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| Erzeugnis: | Dienstleistungen für Splittergießereien | Materialien: | LiNbO3, LiTaO3, Kristallquarz, Glas, Saphir usw. |
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| Dienstleistungen: | Lithographie, Gravur, Beschichtung, Verklebung | Lithographie: | EBL-Proximitätslithographie oStepper-Lithographie |
| Hilfsmittel: | Maschinen zum Schleifen/Dünnen/Polieren usw. | Verknüpfung:: | Anodisch, Eutektisch, Klebstoff, Drahtbindung |
| Hervorheben: | Erweiterte Verarbeitungskapazitäten Piezoelektrische Wafer,MEMS Piezoelektrische Wafer,SAW-Geräte Piezoelektrische Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Modernste piezoelektrische Waferherstellung für MEMS- und SAW-Geräte
Wir sind spezialisiert auf die Bereitstellung von umfassenden Splitter-Gießerei-Dienstleistungen für Kunden, die eine hochwertige Waferverarbeitung und -fertigung benötigen.,Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen, die genau Ihren Bedürfnissen entsprechen.Lithiumniobat (LiNbO)₃),Lithiumantalat (LiTaO)₃),Einzelkristallquarz,Glas aus geschmolzenem Silizium,Borosilikatglas (BF33),Soda-Lime-Glas,Silikonwaffen, undZäphir, so dass die Vielseitigkeit für verschiedene Anwendungen gewährleistet ist.
Erweiterte Wafermaterialienportfolio
Unser Fachwissen umfasst Industriestandards und exotische Substrate:
- Lithiumniobat (LiNbO3, 4"-6" Wafer)
- Lithiumantalat (LiTaO3, Z- oder Y-Schnitt)
- Einzelkristallquarz (AT-Schnitt/SC-Schnitt)
- Geschmolzenes Silizium (Corning 7980-Äquivalent)
- Borosilikatglas (BF33/Schott Borofloat®)
- Silikon (100/111 Ausrichtung, maximal 200 mm)
- Saphir (C-Ebene/R-Ebene, 2 ′′ 8 ′′)
Kernfertigungstechnologien
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Lithographie.
- Elektronenstrahllithographie (EBL, Auflösung 10 nm)
- Stepper Lithographie (i-Line, 365 nm)
- Proximity Mask Aligner (Genauigkeit der Ausrichtung von 5 μm)
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- Das ist nicht wahr.
- ICP-RIE (SiO2/Si Ätzgeschwindigkeit 500 nm/min)
- DRIE (Aspektverhältnis 30:1, Bosch-Verfahren)
- Ionenstrahl-Etschen (Winkelgleichheit < ± 2°)
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Dünnschicht-Ablagerung
- ALD (Al2O3/HfO2, Einheitlichkeit < 1 nm)
- PECVD (SiNx/SiO2, belastungsgesteuert)
- Magnetronenspritzen (Au/Pt/Ti, 5 nm ≈ 1 μm)
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Waferbindung.
- Anodische Bindung (Glas-Si, 400°C/1kV)
- Eutexische Bindung (Au-Si, 363°C)
- mit einer Breite von mehr als 10 mm,
Unterstützung der Prozessinfrastruktur
- Präzisionsschleifen (TTV < 2μm)
- CMP Polieren (Ra < 0,5 nm)
- Laserschnitt (50 μm Schnittbreite)
- 3D-Metrologie (Weißlicht-Interferometrie)
