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C-Achse 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-bereit
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | BonTek |
| Zertifizierung: | ISO:9001 |
| Modellnummer: | Saphir (Al2O3) |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5 Stücke |
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| Preis: | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen: | Kassette, Glas, Filmpaket |
| Lieferzeit: | 1-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 Stücke/Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Sapphire Wafer | Art: | Einzelner Kristall |
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| Farbe: | Weiß/rot/Blau | Wachstumsmethode: | Horizontal verwiesene Kristallisation (HDC) |
| Oberfläche: | Doppelte Seite polnisch | KRAFT-Strecke: | 85% |
| Anwendung: | Semicondutor-Oblate, geführter Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik | Industrie: | Geführtes, optisches Glas, eli-bereite Oblate |
| Hervorheben: | Kristallscheibe 4inch des Saphirs,Einzelne Kristallscheibe HDC,Kristallscheibe 0.5mm des Saphirs |
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Produkt-Beschreibung
Horizontal verwiesene Kristallisation gewachsene C-Achse Sapphire Wafers 4inch 0.5mm Epi-bereit
Einzelner Kristallsaphir Al2O3 besitzt eine einzigartige Kombination von ausgezeichneten optischen, körperlichen und chemischen Eigenschaften. Das härteste der Oxidkristalle, Saphir Al2O3 behält sein hochfestes bei hohen Temperaturen, hat gute thermische Eigenschaften und ausgezeichnete Transparenz. Optik Sapphire Als 2O3 ist gegen viele Säuren und Alkalien bei den Temperaturen bis 1000 Grad C sowie gegen HF unterhalb 300 Grad C. chemisch beständig. Diese Eigenschaften regen seinen breiten Gebrauch von Optik Sapphire Als 2O3 in der feindlichen Umwelt an, in der Lichtwellenleiterübertragung in der Strecke vom sichtbaren zum nahen Infrarot angefordert wird.
Jetzt wachsen die Mehrheit einer Kristalle von der flüssigen Schmelze. Die passendsten Substanzen, zum von einer Schmelze Kristall zu wachsen müssen ohne Aufspaltung schmelzen, haben keine polymorphen Übergänge und werden durch niedrige chemische Tätigkeit gekennzeichnet. Der Kristallisationsprozeß von einer Schmelze wird in den weitestverbreiteten Methoden des monokristallinen Saphirwachstums angewendet: nämlich die horizontal verwiesene Methode der Kristallisation (HDC) und Stepanovs Methode.
OPTISCHE EIGENSCHAFTEN
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Getriebe |
0,17 bis 5,5 um |
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Brechungskoeffizient |
1,75449 (O) 1,74663 (e) bei 1,06 um |
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Reflexionsdämpfung |
bei 1,06 Mikrometern (2 Oberflächen) für ORay - 11,7%; für ERay - 14,2% |
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Absorptions-Index |
0,3 x 10-3 cm-1 bei 2,4 um |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 bei 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1,5 um |
PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN
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Dichte |
3,97 g/cm3 |
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Schmelzpunkt |
2040 Grad C |
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Wärmeleitfähigkeit |
27,21 mit (m x K) bei 300 K |
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Thermische Expansion |
5,6 x 10 -6 /K (parallele C-Achse) u. 5,0 (Senkrechtc-achse) x 10 -6 /K |
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Härte |
Knoop 2000 kg/mm 2 mit Zahnwalze 2000g |
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Spezifische Wärmekapazität |
419 J (Kilogramm x K) |
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Dielektrizitätskonstante |
11,5 (parallele C-Achse) 9,4 (Senkrechtc-achse) an 1MHz |
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Elastizitätsmodul (e) |
335 GPa |
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Schubmodul (g) |
148,1 GPa |
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Massenmodul (K) |
240 GPa |
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Elastische Koeffizienten |
C11=496C12=164C13=115 |
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Offensichtliche Streckgrenze |
MPa 275 (40.000 P/in) |
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Poisson-Verhältnis |
0,25 |
Wareneingangsprüfung
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4. Wenn den Produkten beschädigt während des Kuriers gefunden werden, machen Sie bitte ein Foto oder notieren Sie ein Video sofort. Nehmen Sie die schädigenden Produkte NICHT aus dem Verpackenkasten heraus! Treten Sie mit uns sofort in Verbindung und wir lösen das Problem gut.